本发明公开了一种功率二极管,包括从下到上依次设置的阴极N+区、耐压层和阳极P+区,阴极N+区包括横向设置的两个N+区,N+区中间设置有N区。还公开了该功率二极管的制备方法,将P+区的Si材料用SiGe材料代替,且阴极设置为N+/N/N+结构,大大降低了反向恢复峰值电流,有效缩短了二极管的反向恢复时间,能够同时获得更低的通态压降和更快的开关速度。且利用穿通设计减小漂移区厚度,不仅有利于降低通态压降,而且有利于降低存储电荷和由此引起的反向恢复功耗;该功率二极管的制备方法采用外延和多次离子注入相结合
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