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您当前位置:首页专利转让 体硅双栅绝缘隧穿基极双极晶体管及其制造方法

发明专利

发布时间:三个月前发布交易方式:麦汇网居间
商品编号:

体硅双栅绝缘隧穿基极双极晶体管及其制造方法

专利号:

出售价格: 5.78万

发明专利

专利类型

电气自动化

行业分类

出售商品

交易类型

已下证

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专利信息
专利号

201410747247X

专利名称

体硅双栅绝缘隧穿基极双极晶体管及其制造方法

专利类型

发明专利

行业分类

电气自动化

申请日期

2014-12-08

有效期至

2034-12-07

专利状态

已下证

专利详情

本发明涉及一种体硅双栅绝缘隧穿基极双极晶体管及其制造方法。该器件在基区两侧同时具有绝缘隧穿结构,使绝缘隧穿效应同时发生在基区两侧,因此提升了隧穿电流的产生率;对比同尺寸MOSFETs或TFETs器件,利用隧穿绝缘层阻抗与其内部场强间极为敏感的相互关系实现优秀的开关特性;通过发射极将隧穿电流增强实现了优秀的正向导通特性;另外本发明还提出了一种体硅双栅绝缘隧穿基极双极晶体管的具体制造方法,该方法与现有集成电路工艺完全兼容,并利用普通体硅晶圆作为器件衬底,在保证器件具有优秀性能的同时,节约生产成本。该

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